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2SC5006-T1-A

2SC5006-T1-A

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC5006-T1-A
PNEDA Teilenummer 2SC5006-T1-A
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT523
Hersteller CEL
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Auf Lager 7.704
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

2SC5006-T1-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC5006-T1-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
2SC5006-T1-A, 2SC5006-T1-A Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 5.084,05 KB)
PDF2SC5006-A Datenblatt Cover
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2SC5006-T1-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang4.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
Gewinn9dB
Leistung - max125mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce80 @ 7mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-523
LieferantengerätepaketSOT-523

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

110V

Frequenz - Übergang

1.5MHz ~ 30MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

12dB ~ 14.5dB

Leistung - max

320W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

55HX

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz

Gewinn

20dB ~ 23dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

70V

Frequenz - Übergang

1.2GHz ~ 1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.4dB

Leistung - max

700W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55ST

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55ST

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

Gewinn

21.5dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 13mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Toshiba Semiconductor and Storage

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-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

550MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.5dB @ 100MHz

Gewinn

23dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

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