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BFG520W,115

BFG520W,115

Nur als Referenz

Teilenummer BFG520W,115
PNEDA Teilenummer BFG520W-115
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 9GHZ 4SO
Hersteller NXP
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Auf Lager 6.102
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFG520W Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFG520W,115
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFG520W, BFG520W Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 305,03 KB)
PDFBFG520W/X Datenblatt Cover
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BFG520W Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang9GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
Gewinn-
Leistung - max500mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 20mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70mA
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-343 Reverse Pinning
Lieferantengerätepaket4-SO

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NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.6dB @ 900MHz

Gewinn

18.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6.5V

Frequenz - Übergang

15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz

Gewinn

15dB ~ 22dB

Leistung - max

188mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

MMBTH81_F080

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

MS3455

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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