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BFU530WX

BFU530WX

Nur als Referenz

Teilenummer BFU530WX
PNEDA Teilenummer BFU530WX
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 11GHZ SOT323-3
Hersteller NXP
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Auf Lager 7.992
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BFU530WX Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBFU530WX
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
BFU530WX, BFU530WX Datenblatt (Total Pages: 22, Größe: 296,8 KB)
PDFBFU530WF Datenblatt Cover
BFU530WF Datenblatt Seite 2 BFU530WF Datenblatt Seite 3 BFU530WF Datenblatt Seite 4 BFU530WF Datenblatt Seite 5 BFU530WF Datenblatt Seite 6 BFU530WF Datenblatt Seite 7 BFU530WF Datenblatt Seite 8 BFU530WF Datenblatt Seite 9 BFU530WF Datenblatt Seite 10 BFU530WF Datenblatt Seite 11

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BFU530WX Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang11GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.6dB @ 900MHz
Gewinn18.5dB
Leistung - max450mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 10mA, 8V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)40mA
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323-3

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Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

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Transistortyp

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Hersteller

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Serie

-

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-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

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-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

15dB ~ 17dB

Leistung - max

330W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

23 @ 10A, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

M177

Lieferantengerätepaket

M177

TPR700

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.03GHz ~ 1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6.7dB

Leistung - max

2050W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

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