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PZ1418B30U,114

PZ1418B30U,114

Nur als Referenz

Teilenummer PZ1418B30U,114
PNEDA Teilenummer PZ1418B30U-114
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 1.6GHZ CDFM2
Hersteller Ampleon
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PZ1418B30U Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPZ1418B30U,114
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
PZ1418B30U, PZ1418B30U Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 71,95 KB)
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PZ1418B30U Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang1.6GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn8.4dB
Leistung - max45W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)4A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-443A
LieferantengerätepaketCDFM2

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

11dB

Leistung - max

180mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB

Leistung - max

880W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Betriebstemperatur

250°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M216

Lieferantengerätepaket

M216

80275H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

2N3866

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

500MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-39

PH3135-65M

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.23dB ~ 9.09dB

Leistung - max

65W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7.7A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

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