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PH2729-25M

PH2729-25M

Nur als Referenz

Teilenummer PH2729-25M
PNEDA Teilenummer PH2729-25M
Beschreibung RF TRANS NPN 60V
Hersteller M/A-Com Technology Solutions
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PH2729-25M Ressourcen

Marke M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPH2729-25M
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
PH2729-25M, PH2729-25M Datenblatt (Total Pages: 4, Größe: 646,34 KB)
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PH2729-25M Technische Daten

HerstellerM/A-Com Technology Solutions
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn9.2dB
Leistung - max70W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)4A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6.1V

Frequenz - Übergang

1.85GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.6dB @ 1.8GHz

Gewinn

17dB

Leistung - max

1.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

BFP640FH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

40GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Gewinn

23dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 30mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

4-TSFP

1002MP

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.24dB ~ 11dB

Leistung - max

7W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55FW-1

Lieferantengerätepaket

55FW-1

2SC5606-A

CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.3V

Frequenz - Übergang

21GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

Gewinn

12.5dB

Leistung - max

115mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

-

MAPR-002729-170M00

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.11dB ~ 9.69dB

Leistung - max

170W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

27A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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