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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
NESG2030M04-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 2.3V 60GHZ M04 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2.3V Frequenz - Übergang: 60GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz Gewinn: 16dB Leistung - max: 80mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 5mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: M04	Auf Lager3.690
NESG2030M04-T2-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 2.3V 60GHZ M04 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 2.3V Frequenz - Übergang: 60GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz Gewinn: 16dB Leistung - max: 80mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 5mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 35mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: M04	Auf Lager3.132
NESG2046M33-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 18GHZ 3SMINMOLD Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 18GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz Gewinn: 9.5dB ~ 11.5dB Leistung - max: 130mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-SuperMiniMold (M33)	Auf Lager8.532
NESG2046M33-T3-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 18GHZ 3SMINMOLD Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 18GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.5dB @ 2GHz Gewinn: 9.5dB ~ 11.5dB Leistung - max: 130mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-SuperMiniMold (M33)	Auf Lager2.934
NESG2101M05-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 17GHZ M05 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 17GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 1.2dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn: 11dB ~ 19dB Leistung - max: 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 130 @ 15mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: M05	Auf Lager2.844
NESG2107M33-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz Gewinn: 7dB ~ 10dB Leistung - max: 130mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 5mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-SuperMiniMold (M33)	Auf Lager8.406
NESG2107M33-T3-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz Gewinn: 7dB ~ 10dB Leistung - max: 130mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 140 @ 5mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-SuperMiniMold (M33)	Auf Lager2.124
NESG250134-T1-AZ CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 9.2V 10GHZ 3MIIMOLD Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9.2V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 23dB Leistung - max: 1.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: 3-PowerMiniMold	Auf Lager5.814
NESG260234-T1-AZ CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 9.2V 3POWERMINIMOLD Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9.2V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 1.9W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 600mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: 3-PowerMiniMold	Auf Lager2.502
NESG270034-T1-AZ CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 9.2V 3POWERMINIMOLD Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 9.2V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 1.9W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 750mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: 3-PowerMiniMold	Auf Lager2.304
NESG7030M04-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4.3V 5.8GHZ M04 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4.3V Frequenz - Übergang: 5.8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz Gewinn: 14dB ~ 21dB Leistung - max: 125mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 5mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: M04	Auf Lager3.580
NSVF2250WT1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V SC70-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70-3 (SOT323)	Auf Lager3.888
NSVF2250WT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V SC70-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SC-70-3 (SOT323)	Auf Lager2.106
NSVF3007SG3T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz Gewinn: 12dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-3 Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-MCPH	Auf Lager3.798
NSVF4009SG4T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ SC82FL/ Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3.5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz Gewinn: 17dB Leistung - max: 120mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: SC-82FL/MCPH4	Auf Lager3.672
NSVF4015SG4T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/ Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Gewinn: 17dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: SC-82FL/MCPH4	Auf Lager24.432
NSVF4017SG4T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/ Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Gewinn: 17dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: SC-82FL/MCPH4	Auf Lager5.832
NSVF4020SG4T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 8V 16GHZ SC82FL/MCP Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 8V Frequenz - Übergang: 16GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.8dB @ 1GHz Gewinn: 17.5dB Leistung - max: 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: SC-82FL/MCPH4	Auf Lager8.280
NSVF5488SKT3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF BIP NPN 70MA 10V FT=7G Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1dB @ 1GHz Gewinn: 12dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 20mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-623F Lieferantengerätepaket: SOT-623/SSFP	Auf Lager7.650
NSVF5490SKT3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF-TR 10V 30MA FT=8G NPN Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB @ 1.5GHz Gewinn: 10dB Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-623F Lieferantengerätepaket: SOT-623/SSFP	Auf Lager5.904
NSVF5501SKT3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.9dB @ 1GHz Gewinn: 11dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 70mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-623F Lieferantengerätepaket: SOT-623/SSFP	Auf Lager6.462
NSVF6003SB6T1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH Hersteller: ON Semiconductor Serie: Automotive, AEC-Q101 Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB @ 1GHz Gewinn: 9dB Leistung - max: 800mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket: 6-CPH	Auf Lager8.388
NSVMMBTH10LT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager24.720
ON5087,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANSPONDER SOT343F Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: SOT-343F	Auf Lager29.622
ON5088,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 55GHZ 4DFP Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 55GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 12GHz Gewinn: 13dB Leistung - max: 136mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 160 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: 4-DFP	Auf Lager2.862
ON5089,115 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANSPONDER SOT343F Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: SOT-343F	Auf Lager27.450
PBR941,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.4dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 360mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)	Auf Lager117.636
PBR941B,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 9GHZ TO236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 360mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)	Auf Lager2.142
PBR951,215 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 10V 8GHZ TO236AB Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 10V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.3dB ~ 2dB @ 1GHz ~ 2GHz Gewinn: - Leistung - max: 365mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: TO-236AB (SOT23)	Auf Lager8.784
PH1090-175L M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 80V Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.58dB Leistung - max: 188W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.146

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