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NSVF2250WT1G

NSVF2250WT1G

Nur als Referenz

Teilenummer NSVF2250WT1G
PNEDA Teilenummer NSVF2250WT1G
Beschreibung RF TRANS NPN 15V SC70-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.106
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NSVF2250WT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNSVF2250WT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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NSVF2250WT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSC-70-3 (SOT323)

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

11dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.3dB @ 900MHz

Gewinn

13.5dB ~ 15dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70-3

AT-64020

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 110mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD (200 mil BeO)

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

14dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

SD1332-05H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.5dB @ 1GHz

Gewinn

17dB

Leistung - max

180W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 14mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Betriebstemperatur

200°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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