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NSVF2250WT1G

NSVF2250WT1G

Nur als Referenz

Teilenummer NSVF2250WT1G
PNEDA Teilenummer NSVF2250WT1G
Beschreibung RF TRANS NPN 15V SC70-3
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 2.106
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NSVF2250WT1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNSVF2250WT1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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NSVF2250WT1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max-
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSC-70-3 (SOT323)

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.5dB @ 1GHz

Gewinn

17dB

Leistung - max

180W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 14mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30A

Betriebstemperatur

200°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

M150

Lieferantengerätepaket

M150

BFP181E7764HTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

17.5dB ~ 21dB

Leistung - max

175mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 70mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT143-4

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

BFR 92W E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

11.5dB ~ 17dB

Leistung - max

280mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 15mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

ZTX325STOB

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

1.3GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

5dB @ 500MHz

Gewinn

53dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 2mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

E-Line-3, Formed Leads

Lieferantengerätepaket

E-Line (TO-92 compatible)

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