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PH1090-175L

PH1090-175L

Nur als Referenz

Teilenummer PH1090-175L
PNEDA Teilenummer PH1090-175L
Beschreibung RF TRANS NPN 80V
Hersteller M/A-Com Technology Solutions
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Auf Lager 7.146
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PH1090-175L Ressourcen

Marke M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPH1090-175L
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
PH1090-175L, PH1090-175L Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 667,02 KB)
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PH1090-175L Technische Daten

HerstellerM/A-Com Technology Solutions
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)80V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn8.58dB
Leistung - max188W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10.5A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

15dB ~ 17dB

Leistung - max

330W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

23 @ 10A, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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M177

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz

Gewinn

10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-81

Lieferantengerätepaket

3-SSFP

MRFC544

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

FMMT5179TA

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 200MHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

330mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3V

Frequenz - Übergang

53GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.75dB @ 6GHz

Gewinn

15.8dB

Leistung - max

160mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

205 @ 2mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

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