NSVF4015SG4T1G
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| Teilenummer | NSVF4015SG4T1G |
| PNEDA Teilenummer | NSVF4015SG4T1G |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 10GHZ SC82FL/ |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 24.432 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NSVF4015SG4T1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NSVF4015SG4T1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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NSVF4015SG4T1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 10GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.2dB @ 1GHz |
| Gewinn | 17dB |
| Leistung - max | 450mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 4-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | SC-82FL/MCPH4 |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 6dB @ 200MHz Gewinn 24dB Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie * Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.5dB @ 450MHz Gewinn 25dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-72-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-72 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 10.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB @ 1.8GHz Gewinn 8.5dB Leistung - max 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60mA Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89-3 |
