JANTXV2N4957
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| Teilenummer | JANTXV2N4957 |
| PNEDA Teilenummer | JANTXV2N4957 |
| Beschreibung | RF TRANS PNP 30V 30MA TO72 |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.606 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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JANTXV2N4957 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | JANTXV2N4957 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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JANTXV2N4957 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | PNP |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 30V |
| Frequenz - Übergang | - |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3.5dB @ 450MHz |
| Gewinn | 25dB |
| Leistung - max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 10V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 30mA |
| Betriebstemperatur | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-72-3 Metal Can |
| Lieferantengerätepaket | TO-72 |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6V Frequenz - Übergang 15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.7dB @ 2GHz Gewinn 16dB Leistung - max 205mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 20mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1.3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 4.5dB @ 500MHz Gewinn - Leistung - max 330mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23-3 |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 3 NPN + 2 PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V, 15V Frequenz - Übergang 8GHz, 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.5dB @ 1GHz Gewinn - Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 18V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 6dB Leistung - max 270W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall M111 Lieferantengerätepaket M111 |
