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NSVF3007SG3T1G

NSVF3007SG3T1G

Nur als Referenz

Teilenummer NSVF3007SG3T1G
PNEDA Teilenummer NSVF3007SG3T1G
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.798
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NSVF3007SG3T1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNSVF3007SG3T1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NSVF3007SG3T1G, NSVF3007SG3T1G Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 485,85 KB)
PDFNSVF3007SG3T1G Datenblatt Cover
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NSVF3007SG3T1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.8dB @ 1GHz
Gewinn12dB
Leistung - max350mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-3 Flat Leads
Lieferantengerätepaket3-MCPH

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Hersteller

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

8V

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

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Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

8.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.4dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

48 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

26mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-23-6

MRF448

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

14dB

Leistung - max

250W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

211-11, Style 2

Lieferantengerätepaket

211-11, Style 2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB ~ 2dB @ 1GHz

Gewinn

13.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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