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NSVF3007SG3T1G

NSVF3007SG3T1G

Nur als Referenz

Teilenummer NSVF3007SG3T1G
PNEDA Teilenummer NSVF3007SG3T1G
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 3.798
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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NSVF3007SG3T1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNSVF3007SG3T1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NSVF3007SG3T1G, NSVF3007SG3T1G Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 485,85 KB)
PDFNSVF3007SG3T1G Datenblatt Cover
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NSVF3007SG3T1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.8dB @ 1GHz
Gewinn12dB
Leistung - max350mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-3 Flat Leads
Lieferantengerätepaket3-MCPH

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-

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Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

70W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 250mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

M135

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

8V

Frequenz - Übergang

1.9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB

Leistung - max

400mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

250mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

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M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

14dB

Leistung - max

250W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

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211-11, Style 2

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Infineon Technologies

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-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

30GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

Gewinn

20dB

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 3.5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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