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MRF448

MRF448

Nur als Referenz

Teilenummer MRF448
PNEDA Teilenummer MRF448
Beschreibung RF TRANS NPN 50V 211-11
Hersteller M/A-Com Technology Solutions
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Auf Lager 6.648
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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MRF448 Ressourcen

Marke M/A-Com Technology Solutions
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF448
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MRF448, MRF448 Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 635,89 KB)
PDFMRF448 Datenblatt Cover
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MRF448 Technische Daten

HerstellerM/A-Com Technology Solutions
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn14dB
Leistung - max250W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce10 @ 5A, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)16A
Betriebstemperatur-
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall211-11, Style 2
Lieferantengerätepaket211-11, Style 2

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.6dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-363

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB

Leistung - max

940W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

24A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M216

Lieferantengerätepaket

M216

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.3V

Frequenz - Übergang

5.8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 0.75dB @ 2GHz ~ 5.8GHz

Gewinn

14dB ~ 21dB

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 5mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

M04

JTDB75

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7dB ~ 8.2dB

Leistung - max

220W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55AW

Lieferantengerätepaket

55AW

62012T

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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