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NSVF6003SB6T1G

NSVF6003SB6T1G

Nur als Referenz

Teilenummer NSVF6003SB6T1G
PNEDA Teilenummer NSVF6003SB6T1G
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.388
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NSVF6003SB6T1G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNSVF6003SB6T1G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NSVF6003SB6T1G, NSVF6003SB6T1G Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 373,72 KB)
PDFNSVF6003SB6T1G Datenblatt Cover
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NSVF6003SB6T1G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang7GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3dB @ 1GHz
Gewinn9dB
Leistung - max800mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 50mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Lieferantengerätepaket6-CPH

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Serie

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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Frequenz - Übergang

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Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

19.4W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.2A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

M122

Lieferantengerätepaket

M122

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

Gewinn

9.6dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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Central Semiconductor Corp

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

2.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

25dB

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 2mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-72

MRF904

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 450MHz

Gewinn

6.5dB ~ 10.5dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-206AF, TO-72-4 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-72

BFP410H6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

Gewinn

21.5dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 13mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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