NSVF6003SB6T1G
Nur als Referenz
Teilenummer | NSVF6003SB6T1G |
PNEDA Teilenummer | NSVF6003SB6T1G |
Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 7GHZ 6CPH |
Hersteller | ON Semiconductor |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 8.388 |
Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
Voraussichtliche Lieferung | Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
NSVF6003SB6T1G Ressourcen
Marke | ON Semiconductor |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | NSVF6003SB6T1G |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- NSVF6003SB6T1G Datasheet
- where to find NSVF6003SB6T1G
- ON Semiconductor
- ON Semiconductor NSVF6003SB6T1G
- NSVF6003SB6T1G PDF Datasheet
- NSVF6003SB6T1G Stock
- NSVF6003SB6T1G Pinout
- Datasheet NSVF6003SB6T1G
- NSVF6003SB6T1G Supplier
- ON Semiconductor Distributor
- NSVF6003SB6T1G Price
- NSVF6003SB6T1G Distributor
NSVF6003SB6T1G Technische Daten
Hersteller | ON Semiconductor |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
Transistortyp | NPN |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
Frequenz - Übergang | 7GHz |
Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3dB @ 1GHz |
Gewinn | 9dB |
Leistung - max | 800mW |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 5V |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 150mA |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Lieferantengerätepaket | 6-CPH |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
Central Semiconductor Corp Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 2.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 25dB Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 2mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-72 |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Microsemi Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB @ 450MHz Gewinn 6.5dB ~ 10.5dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-206AF, TO-72-4 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-72 |
NXP Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2.8V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 2.4GHz Gewinn 13.1dB Leistung - max 220mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 155 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket 4-DFP |
CEL Hersteller CEL Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 6V Frequenz - Übergang 12GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB @ 2GHz Gewinn 8.5dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 75 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |