NESG2107M33-A
Nur als Referenz
| Teilenummer | NESG2107M33-A |
| PNEDA Teilenummer | NESG2107M33-A |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 5V 10GHZ 3SMINMOLD |
| Hersteller | CEL |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.406 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NESG2107M33-A Ressourcen
| Marke | CEL |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NESG2107M33-A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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NESG2107M33-A Technische Daten
| Hersteller | CEL |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 5V |
| Frequenz - Übergang | 10GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 0.9dB ~ 1.5dB @ 2GHz |
| Gewinn | 7dB ~ 10dB |
| Leistung - max | 130mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 140 @ 5mA, 1V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 3-SMD, Flat Leads |
| Lieferantengerätepaket | 3-SuperMiniMold (M33) |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 14dB ~ 26dB Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.7V Frequenz - Übergang 42GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.5dB ~ 0.75dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn 27.5dB Leistung - max 160mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 25mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 4-TSFP |
