NSVF5501SKT3G
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| Teilenummer | NSVF5501SKT3G |
| PNEDA Teilenummer | NSVF5501SKT3G |
| Beschreibung | RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.462 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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NSVF5501SKT3G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NSVF5501SKT3G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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NSVF5501SKT3G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 10V |
| Frequenz - Übergang | 5.5GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.9dB @ 1GHz |
| Gewinn | 11dB |
| Leistung - max | 250mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-623F |
| Lieferantengerätepaket | SOT-623/SSFP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB @ 1GHz Gewinn 12dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 135 @ 20mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket 3-CP |
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 75V Frequenz - Übergang 3.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8dB Leistung - max 80W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 1.5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-422A Lieferantengerätepaket CDFM2 |
