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NSVF5501SKT3G

NSVF5501SKT3G

Nur als Referenz

Teilenummer NSVF5501SKT3G
PNEDA Teilenummer NSVF5501SKT3G
Beschreibung RF-TR 10V 70MA FT=5.5GHZ
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 6.462
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NSVF5501SKT3G Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNSVF5501SKT3G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NSVF5501SKT3G, NSVF5501SKT3G Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 133,73 KB)
PDFNSVF5501SKT3G Datenblatt Cover
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NSVF5501SKT3G Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
SerieAutomotive, AEC-Q101
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang5.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.9dB @ 1GHz
Gewinn11dB
Leistung - max250mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70mA
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-623F
LieferantengerätepaketSOT-623/SSFP

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

75V

Frequenz - Übergang

3.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB

Leistung - max

80W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 1.5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-422A

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

14dB ~ 8.5dB

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 70mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

210mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223-4

UMIL10

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

100MHz ~ 400MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

28W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 200mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

55FT

Lieferantengerätepaket

55FT

BFU520WF

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1.8GHz

Gewinn

13dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323-3

JANTX2N4957UB

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

Gewinn

25dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

3-SMD, No Lead

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