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NESG2030M04-T2-A

NESG2030M04-T2-A

Nur als Referenz

Teilenummer NESG2030M04-T2-A
PNEDA Teilenummer NESG2030M04-T2-A
Beschreibung RF TRANS NPN 2.3V 60GHZ M04
Hersteller CEL
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Auf Lager 3.132
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NESG2030M04-T2-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNESG2030M04-T2-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NESG2030M04-T2-A, NESG2030M04-T2-A Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 428,56 KB)
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NESG2030M04-T2-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)2.3V
Frequenz - Übergang60GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz
Gewinn16dB
Leistung - max80mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce200 @ 5mA, 2V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-343F
LieferantengerätepaketM04

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

3.3V

Frequenz - Übergang

15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

Gewinn

14dB

Leistung - max

190mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-343F

Lieferantengerätepaket

SOT-343F

FMMT5179TA

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

2GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 200MHz

Gewinn

15dB

Leistung - max

330mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

BFR380L3E6327XTMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

9V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.5dB ~ 2.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

7.5dB ~ 16.5dB

Leistung - max

380mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 40mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-101, SOT-883

Lieferantengerätepaket

PG-TSLP-3-1

DSC9G02C0L

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.3dB @ 100MHz

Gewinn

24dB

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

65 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-89, SOT-490

Lieferantengerätepaket

SSMini3-F3-B

MSC1175MA

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8dB

Leistung - max

400W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Betriebstemperatur

250°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

M218

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