NESG2030M04-T2-A Datenblatt
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CEL
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern:
NESG2030M04-T2-A, NESG2030M04-A
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2.3V Frequenz - Übergang 60GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz Gewinn 16dB Leistung - max 80mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 5mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket M04 |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 2.3V Frequenz - Übergang 60GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.1dB @ 2GHz Gewinn 16dB Leistung - max 80mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 5mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket M04 |
