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PBR941B,215

PBR941B,215

Nur als Referenz

Teilenummer PBR941B,215
PNEDA Teilenummer PBR941B-215
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 9GHZ TO236AB
Hersteller NXP
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Auf Lager 2.142
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 16 - Nov 21 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

PBR941B Ressourcen

Marke NXP
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerPBR941B,215
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
PBR941B, PBR941B Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 153,16 KB)
PDFPBR941B Datenblatt Cover
PBR941B Datenblatt Seite 2 PBR941B Datenblatt Seite 3 PBR941B Datenblatt Seite 4 PBR941B Datenblatt Seite 5 PBR941B Datenblatt Seite 6 PBR941B Datenblatt Seite 7 PBR941B Datenblatt Seite 8 PBR941B Datenblatt Seite 9 PBR941B Datenblatt Seite 10 PBR941B Datenblatt Seite 11

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PBR941B Technische Daten

HerstellerNXP USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang9GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz
Gewinn-
Leistung - max360mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 6V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)50mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
LieferantengerätepaketTO-236AB (SOT23)

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

87.5W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

2.6A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M115

Lieferantengerätepaket

M115

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NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1.8GHz

Gewinn

12.5dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 20mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

3-MCP

1517-110M

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

70V

Frequenz - Übergang

1.48GHz ~ 1.65GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.3dB ~ 8.6dB

Leistung - max

350W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55AW-1

Lieferantengerätepaket

55AW-1

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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