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SD1332-05C

SD1332-05C

Nur als Referenz

Teilenummer SD1332-05C
PNEDA Teilenummer SD1332-05C
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ M150
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.448
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Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SD1332-05C Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSD1332-05C
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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SD1332-05C Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang5.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)2.5dB @ 1GHz
Gewinn17dB
Leistung - max180W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 14mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Betriebstemperatur200°C
MontagetypSurface Mount
Paket / FallM150
LieferantengerätepaketM150

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6.5V

Frequenz - Übergang

15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz

Gewinn

15dB ~ 22dB

Leistung - max

188mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

BFP720FH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.7V

Frequenz - Übergang

45GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.4dB ~ 1dB @ 150MHz ~ 10GHz

Gewinn

10.5dB ~ 28dB

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

160 @ 13mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

4-SMD, Flat Leads

Lieferantengerätepaket

4-TSFP

MRF5812MR1

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

BFR93AWH6327XTSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

10.5dB ~ 15.5dB

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 30mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

90mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

PG-SOT323-3

AT-41486-TR1G

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

Gewinn

9dB ~ 18dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-86

Lieferantengerätepaket

86 Plastic

Kürzlich verkauft

IHLP2525CZER1R0M01

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FIXED IND 1UH 11A 10 MOHM SMD

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MOSFET N-CH 50V 220MA DIE

1SS355VMTE-17

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DIODE GEN PURP 80V 100MA UMD2

STM8S003F3P6

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IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20TSSOP

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IC REG LINEAR 3.3V 300MA SOT23-5

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C3M0065090D

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