TPR1000A
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| Teilenummer | TPR1000A |
| PNEDA Teilenummer | TPR1000A |
| Beschreibung | RF TRANS 65V 1.09GHZ 55KV |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.274 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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TPR1000A Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | TPR1000A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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TPR1000A Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 65V |
| Frequenz - Übergang | 1.09GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 6dB |
| Leistung - max | 2900W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 10 @ 1A, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 80A |
| Betriebstemperatur | 200°C |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 55KV |
| Lieferantengerätepaket | 55KV |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 65V Frequenz - Übergang 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 6.6dB Leistung - max 1166W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 1mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55KT Lieferantengerätepaket 55KT |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 5V Frequenz - Übergang 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.8dB ~ 2dB @ 1GHz Gewinn - Leistung - max 32mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 500µA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 6.5mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 3 NPN + 2 PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V, 15V Frequenz - Übergang 8GHz, 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.5dB @ 1GHz Gewinn - Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 10mA, 2V / 20 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 5dB @ 200MHz Gewinn 15dB Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 150MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 110 @ 1mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SC-59 |
