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SD1526-01

SD1526-01

Nur als Referenz

Teilenummer SD1526-01
PNEDA Teilenummer SD1526-01
Beschreibung RF TRANS NPN 45V 1.215GHZ M115
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 7.308
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 18 - Jan 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SD1526-01 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSD1526-01
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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SD1526-01 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)45V
Frequenz - Übergang960MHz ~ 1.215GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn9.5dB
Leistung - max21.9W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallM115
LieferantengerätepaketM115

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CEL

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-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

10GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 2GHz

Gewinn

11dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 10mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 500MHz

Gewinn

13dB ~ 15.5dB

Leistung - max

1.25W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Frequenz - Übergang

1.03GHz ~ 1.09GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

350W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

Gewinn

21.5dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 13mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-343

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB @ 2GHz

Gewinn

13.5dB

Leistung - max

205mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

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