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MRF5812

MRF5812

Nur als Referenz

Teilenummer MRF5812
PNEDA Teilenummer MRF5812
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOIC
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.804
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MRF5812 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF5812
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MRF5812 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)2dB ~ 3dB @ 500MHz
Gewinn13dB ~ 15.5dB
Leistung - max1.25W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 50mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200mA
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOIC

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JTDB25

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

55V

Frequenz - Übergang

960MHz ~ 1.215GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.5dB

Leistung - max

97W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55AW-1

Lieferantengerätepaket

55AW-1

AT-31033-TR1G

Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz

Gewinn

9dB ~ 11dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 1mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

CP681-MPSH81-CM

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

Die

BFU520XRR

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

Automotive, AEC-Q101

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

10.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.65dB @ 900MHz

Gewinn

20dB

Leistung - max

450mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-143R

Lieferantengerätepaket

SOT-143R

MPSH17G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

800MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6dB @ 200MHz

Gewinn

24dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

Kürzlich verkauft

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