NE85633-T1B-A
Nur als Referenz
| Teilenummer | NE85633-T1B-A |
| PNEDA Teilenummer | NE85633-T1B-A |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 |
| Hersteller | CEL |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.418 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 14 - Feb 19 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
NE85633-T1B-A Ressourcen
| Marke | CEL |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | NE85633-T1B-A |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- NE85633-T1B-A Datasheet
- where to find NE85633-T1B-A
- CEL
- CEL NE85633-T1B-A
- NE85633-T1B-A PDF Datasheet
- NE85633-T1B-A Stock
- NE85633-T1B-A Pinout
- Datasheet NE85633-T1B-A
- NE85633-T1B-A Supplier
- CEL Distributor
- NE85633-T1B-A Price
- NE85633-T1B-A Distributor
NE85633-T1B-A Technische Daten
| Hersteller | CEL |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 12V |
| Frequenz - Übergang | 7GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.1dB @ 1GHz |
| Gewinn | 11.5dB |
| Leistung - max | 200mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 50 @ 20mA, 10V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Renesas Electronics America Inc. Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 9V Frequenz - Übergang 8.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 2.4dB @ 1GHz Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 48 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 26mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Lieferantengerätepaket SOT-23-6 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.7V Frequenz - Übergang 43GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz Gewinn 11dB ~ 30.5dB Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 15mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket SOT-343 |
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Frequenz - Übergang 300MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 82 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket EMT3 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 4.5dB @ 500MHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 25 @ 2mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket TO-236AB (SOT23) |
