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NE68530-A

NE68530-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE68530-A
PNEDA Teilenummer NE68530-A
Beschreibung RF TRANS NPN 6V 12GHZ SOT323
Hersteller CEL
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Auf Lager 8.982
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NE68530-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE68530-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE68530-A, NE68530-A Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 720,24 KB)
PDFNE68530-A Datenblatt Cover
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NE68530-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)6V
Frequenz - Übergang12GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.5dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Gewinn7dB
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce75 @ 10mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 0.9dB @ 1.5GHz ~ 1GHz

Gewinn

10dB ~ 5.5dB @ 1.5GHz

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 10mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-75, SOT-416

Lieferantengerätepaket

SMCP

BLT50,115

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

470MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 300mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

Gewinn

9dB ~ 18dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-86

Lieferantengerätepaket

86 Plastic

KST10MTF

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

650MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 4mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

8.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

250mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323-3

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