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MSC72111H Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.880
MSC74070 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.802
MSC80205 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.870
MSC80806 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.246
MSC86580 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.222
MSD2714AT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SC59 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SC-59	Auf Lager6.426
MT3S111P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.25dB @ 1GHz Gewinn: 10.5dB Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: PW-MINI	Auf Lager49.482
MT3S111(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 6V 11.5GHZ SMINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V Frequenz - Übergang: 11.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Gewinn: 12dB Leistung - max: 700mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager51.288
MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF SIGE NPN BIPOLAR TRANSISTOR N Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.6dB ~ 0.85dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn: 12.5dB Leistung - max: 800mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: UFM	Auf Lager4.734
MT3S113P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5.3V 7.7GHZ PW-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5.3V Frequenz - Übergang: 7.7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz Gewinn: 10.5dB Leistung - max: 1.6W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: PW-MINI	Auf Lager22.212
MT3S113(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5.3V 12.5GHZ SMINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5.3V Frequenz - Übergang: 12.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz Gewinn: 11.8dB Leistung - max: 800mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: S-Mini	Auf Lager28.572
MT3S113TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5.3V 11.2GHZ UFM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5.3V Frequenz - Übergang: 11.2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz Gewinn: 12.5dB Leistung - max: 900mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 30mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: UFM	Auf Lager27.966
MT3S16U(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 5V 4GHZ USM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 5V Frequenz - Übergang: 4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2.4dB @ 1GHz Gewinn: 4.5dBi Leistung - max: 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60mA Betriebstemperatur: 125°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: USM	Auf Lager27.444
MT3S20P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.45dB @ 1GHz Gewinn: 16.5dB Leistung - max: 1.8W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: PW-MINI	Auf Lager2.376
MT3S20TU(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 7GHZ UFM Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 7GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.45dB @ 20mA, 5V Gewinn: 12dB Leistung - max: 900mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: UFM	Auf Lager5.094
MT4S300U(TE85L,O,F Toshiba Semiconductor and Storage	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF X34 PB-F RADIO-FREQUENCY SIGE HE Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4V Frequenz - Übergang: 26.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.55dB @ 2GHz Gewinn: 16.9dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 200 @ 10mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: USQ	Auf Lager3.526
MX0912B251Y,114 Ampleon	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2 Hersteller: Ampleon USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.4dB Leistung - max: 690W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-439A Lieferantengerätepaket: CDFM2	Auf Lager6.570
MX0912B351Y,114 Ampleon	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2 Hersteller: Ampleon USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.6dB Leistung - max: 960W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 21A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-439A Lieferantengerätepaket: CDFM2	Auf Lager281
MZ0912B100Y,114 Ampleon	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2 Hersteller: Ampleon USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.6dB Leistung - max: 290W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SOT-443A Lieferantengerätepaket: CDFM2	Auf Lager6.426
MZ0912B50Y,114 Ampleon	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 1.215GHZ CDFM2 Hersteller: Ampleon USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB Leistung - max: 150W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SOT-443A Lieferantengerätepaket: CDFM2	Auf Lager7.668
NE202930-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 6V 11GHZ 3SMINMOLD Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1GHz Gewinn: 13.5dB Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 5mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: 3-SuperMiniMold (30 PKG)	Auf Lager5.256
NE202930-T1-A CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 6V 11GHZ SOT323 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6V Frequenz - Übergang: 11GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.15dB @ 1GHz Gewinn: 13.5dB Leistung - max: 150mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 85 @ 5mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket: SOT-323	Auf Lager7.506
NE46134-AZ CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn: 7dB Leistung - max: 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager4.266
NE46134-T1 CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn: - Leistung - max: 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager8.370
NE46134-T1-AZ CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn: 7dB Leistung - max: 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager6.984
NE46134-T1-QR-AZ CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn: 7dB Leistung - max: 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager2.700
NE46134-T1-QS-AZ CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn: 7dB Leistung - max: 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager8.172
NE461M02-AZ CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V SOT89 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn: 8.3dB Leistung - max: 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager8.100
NE461M02-T1-AZ CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V SOT89 Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn: 8.3dB Leistung - max: 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: SOT-89	Auf Lager2.196
NE461M02-T1-QR-AZ CEL	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V Hersteller: CEL Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn: 8.3dB Leistung - max: 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-243AA Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.938

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