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NE46134-T1-QS-AZ

NE46134-T1-QS-AZ

Nur als Referenz

Teilenummer NE46134-T1-QS-AZ
PNEDA Teilenummer NE46134-T1-QS-AZ
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 5.5GHZ SOT89
Hersteller CEL
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
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NE46134-T1-QS-AZ Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE46134-T1-QS-AZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE46134-T1-QS-AZ, NE46134-T1-QS-AZ Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 1.502,43 KB)
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NE46134-T1-QS-AZ Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang5.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz
Gewinn7dB
Leistung - max2W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 50mA, 10V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)250mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-243AA
LieferantengerätepaketSOT-89

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Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-VFQFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

35V

Frequenz - Übergang

30MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

12dB

Leistung - max

320W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

15 @ 7A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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M174

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Rohm Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

800MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

180 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SMT3

MPSH17

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

800MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

6dB @ 200MHz

Gewinn

24dB

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

25 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

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CEL

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

12GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB @ 2GHz

Gewinn

10dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

75 @ 30mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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-

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