MT3S111P(TE12L,F)
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT3S111P(TE12L,F) |
| PNEDA Teilenummer | MT3S111P-TE12L-F |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 6V 8GHZ PW-MINI |
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 49.482 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT3S111P(TE12L Ressourcen
| Marke | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT3S111P(TE12L,F) |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MT3S111P(TE12L Technische Daten
| Hersteller | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 6V |
| Frequenz - Übergang | 8GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.25dB @ 1GHz |
| Gewinn | 10.5dB |
| Leistung - max | 1W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 200 @ 30mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 100mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-243AA |
| Lieferantengerätepaket | PW-MINI |
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