NE461M02-AZ
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| Teilenummer | NE461M02-AZ |
| PNEDA Teilenummer | NE461M02-AZ |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 15V SOT89 |
| Hersteller | CEL |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.100 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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NE461M02-AZ Ressourcen
| Marke | CEL |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | NE461M02-AZ |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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NE461M02-AZ Technische Daten
| Hersteller | CEL |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V |
| Frequenz - Übergang | - |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz |
| Gewinn | 8.3dB |
| Leistung - max | 2W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 60 @ 50mA, 10V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 250mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-243AA |
| Lieferantengerätepaket | SOT-89 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 19dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket PG-SOT363-6 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 20dB Leistung - max 175mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket PG-SOT363-6 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 30V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 3.5dB @ 450MHz Gewinn 25dB Leistung - max 200mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 30mA Betriebstemperatur -65°C ~ 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-72-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-72 |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 10V Frequenz - Übergang 55GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 12GHz Gewinn 13dB Leistung - max 136mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 160 @ 10mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket 4-DFP |
