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MS2214 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M218 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.5dB Leistung - max: 300W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 2A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Betriebstemperatur: 250°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M218 Lieferantengerätepaket: M218	Auf Lager5.616
MS2215 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M216 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.5dB Leistung - max: 300W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16.5A Betriebstemperatur: 250°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M216 Lieferantengerätepaket: M216	Auf Lager7.938
MS2225H Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.194
MS2226H Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.850
MS2228 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M214 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9dB Leistung - max: 175W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5.4A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M214 Lieferantengerätepaket: M214	Auf Lager6.300
MS2244 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.906
MS2248 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.400
MS2266 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.582
MS2267 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ M214 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB ~ 8.7dB Leistung - max: 575W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Betriebstemperatur: 250°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M214 Lieferantengerätepaket: M214	Auf Lager2.034
MS2272 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M216 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.6dB Leistung - max: 940W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 24A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M216 Lieferantengerätepaket: M216	Auf Lager2.700
MS2279 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.426
MS2284 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.408
MS2321 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M105 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 87.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M105 Lieferantengerätepaket: M105	Auf Lager3.330
MS2321A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.400
MS2322 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 87.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.5A Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M115 Lieferantengerätepaket: M115	Auf Lager2.988
MS2341 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9dB Leistung - max: 87.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2.6A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M115 Lieferantengerätepaket: M115	Auf Lager3.834
MS2348 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.330
MS2356A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.168
MS2361 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M115 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9dB Leistung - max: 87.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 2.6A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M115 Lieferantengerätepaket: M115	Auf Lager8.676
MS2392 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.726
MS2393 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M138 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.2dB Leistung - max: 583W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 300mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 11A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M138 Lieferantengerätepaket: M138	Auf Lager6.606
MS2396 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.528
MS2421 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M103 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 6.3dB Leistung - max: 875W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 22A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M103 Lieferantengerätepaket: M103	Auf Lager8.820
MS2422 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M138 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 6.3dB Leistung - max: 875W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 22A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M138 Lieferantengerätepaket: M138	Auf Lager2.250
MS2441 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M112 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 6.5dB Leistung - max: 1458W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 22A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M112 Lieferantengerätepaket: M112	Auf Lager3.096
MS2472 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M112 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 5.6dB Leistung - max: 1350W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M112 Lieferantengerätepaket: M112	Auf Lager5.861
MS2473 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M112 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 6dB Leistung - max: 2300W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 5 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 46A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M112 Lieferantengerätepaket: M112	Auf Lager5.490
MS2473A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.628
MS2477 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.806
MS2502A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.830

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