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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
MRF544 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 70V 1.5GHZ TO39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 70V Frequenz - Übergang: 1.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 13.5dB Leistung - max: 3.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 50mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-39 Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager7.794
MRF545 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 70V 1.4GHZ TO39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 70V Frequenz - Übergang: 1GHz ~ 1.4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 14dB Leistung - max: 3.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 50mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager8.766
MRF553 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 175MHZ Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 11.5dB Leistung - max: 3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.964
MRF553G Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 11dB ~ 13dB Leistung - max: 3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Power Macro Lieferantengerätepaket: Power Macro	Auf Lager4.932
MRF553GT Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 11.5dB Leistung - max: 3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Power Macro Lieferantengerätepaket: Power Macro	Auf Lager7.434
MRF553T Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRNS NPN 16V 175MHZ PWR MACRO Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 11.5dB Leistung - max: 3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Power Macro Lieferantengerätepaket: Power Macro	Auf Lager7.650
MRF555 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V POWER MACRO Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 11dB ~ 13dB Leistung - max: 3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Power Macro Lieferantengerätepaket: Power Macro	Auf Lager6.570
MRF555G Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 470MHZ Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: 470MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 12.5dB Leistung - max: 3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.210
MRF555GT Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 470MHZ Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: 470MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 12.5dB Leistung - max: 3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.372
MRF555T Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V POWER MACRO Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 11dB ~ 12.5dB Leistung - max: 3W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 500mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Power Macro Lieferantengerätepaket: Power Macro	Auf Lager3.400
MRF559 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ MACRO X Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: 870MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9.5dB Leistung - max: 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Macro-X Lieferantengerätepaket: Macro-X	Auf Lager4.936
MRF559G Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ MICRO X Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: 870MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9.5dB Leistung - max: 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Micro-X ceramic (84C) Lieferantengerätepaket: Micro-X ceramic (84C)	Auf Lager2.826
MRF559GT Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: 870MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9.5dB Leistung - max: 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.526
MRF559T Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: 870MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9.5dB Leistung - max: 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.526
MRF581 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 18V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz Gewinn: 13dB ~ 15.5dB Leistung - max: 1.25W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Micro-X ceramic (84C) Lieferantengerätepaket: Micro-X ceramic (84C)	Auf Lager22.507
MRF5812 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SOIC Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Gewinn: 13dB ~ 15.5dB Leistung - max: 1.25W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager6.804
MRF5812G Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Gewinn: 13dB ~ 15.5dB Leistung - max: 1.25W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.870
MRF5812GR1 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Gewinn: 13dB ~ 15.5dB Leistung - max: 1.25W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager3.186
MRF5812GR2 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Gewinn: 13dB ~ 15.5dB Leistung - max: 1.25W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.784
MRF5812M Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF TRANS NPN 15V 200MA Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.258
MRF5812MR1 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF TRANS NPN 15V 200MA Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.352
MRF5812MR2 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF TRANS NPN 15V 200MA Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.100
MRF5812R1 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ 8SO Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 2dB ~ 3dB @ 500MHz Gewinn: 13dB ~ 15.5dB Leistung - max: 1.25W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.552
MRF581A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ MICRO X Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz Gewinn: 13dB ~ 15.5dB Leistung - max: 1.25W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Micro-X ceramic (84C) Lieferantengerätepaket: Micro-X ceramic (84C)	Auf Lager6.912
MRF581AG Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 5GHZ MACRO X Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz Gewinn: 13dB ~ 15.5dB Leistung - max: 1.25W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 90 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Macro-X Lieferantengerätepaket: Macro-X	Auf Lager6.858
MRF581G Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 5GHZ MICRO X Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 18V Frequenz - Übergang: 5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz Gewinn: 13dB ~ 15.5dB Leistung - max: 1.25W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Micro-X ceramic (84C) Lieferantengerätepaket: Micro-X ceramic (84C)	Auf Lager5.022
MRF586 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 17V Frequenz - Übergang: 3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 13.5dB Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager6.102
MRF586G Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 17V 3GHZ TO39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 17V Frequenz - Übergang: 3GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 13.5dB Leistung - max: 1W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager6.174
MRF8372 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: 870MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB ~ 9.5dB Leistung - max: 2.2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager4.878
MRF8372G Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 870MHZ 8SO Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: 870MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB ~ 9.5dB Leistung - max: 2.2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 200mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager6.984

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