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MRF581A

MRF581A

Nur als Referenz

Teilenummer MRF581A
PNEDA Teilenummer MRF581A
Beschreibung RF TRANS NPN 15V 5GHZ MICRO X
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.912
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

MRF581A Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF581A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MRF581A Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)15V
Frequenz - Übergang5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)3dB ~ 3.5dB @ 500MHz
Gewinn13dB ~ 15.5dB
Leistung - max1.25W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce90 @ 50mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)200mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallMicro-X ceramic (84C)
LieferantengerätepaketMicro-X ceramic (84C)

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

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Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Frequenz - Übergang

250MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-85

Lieferantengerätepaket

SMini3-F2

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

8.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB ~ 1.8dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

270mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

18V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

6dB

Leistung - max

270W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 5A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

M111

Lieferantengerätepaket

M111

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CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.9dB @ 2GHz

Gewinn

7.5dB

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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