Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 134/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
MPSH17RLRAG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 800MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 200MHz Gewinn: 24dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager8.190
MPSH81 Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92	Auf Lager6.102
MPSH81 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager7.254
MPSH81 MICROSS/On Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF DIE TRANSISTOR RF PNP Hersteller: MICROSS/On Semiconductor Serie: * Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.042
MPSH81_D26Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager2.250
MPSH81_D27Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager3.168
MPSH81_D75Z ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ TO92-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket: TO-92-3	Auf Lager5.184
MPSH81 TRE Central Semiconductor Corp	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS PNP 20V 600MHZ SOT23 Hersteller: Central Semiconductor Corp Serie: - Transistortyp: PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager2.790
MRF10031 M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 332A-03 Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9.5dB Leistung - max: 30W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 332A-03 Lieferantengerätepaket: 332A-03, Style 2	Auf Lager6.102
MRF10120 M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 355C-02 Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.5dB Leistung - max: 120W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 355C-02 Lieferantengerätepaket: 355C-02, Style 1	Auf Lager5.040
MRF10350 M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 355E-01 Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9dB Leistung - max: 350W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 31A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 355E-01 Lieferantengerätepaket: 355E-01, Style 1	Auf Lager5.742
MRF10502 M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 355J-02 Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9dB Leistung - max: 500W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 29A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 355J-02 Lieferantengerätepaket: 355J-02, STYLE 1	Auf Lager8.586
MRF1090MB M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 70V 332A-03 Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 70V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10.8dB Leistung - max: 90W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 2.5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 6A Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 332A-03 Lieferantengerätepaket: 332A-03, Style 1	Auf Lager6.840
MRF314 M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 35V 211-07 Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 35V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 13.5dB Leistung - max: 30W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3.4A Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 211-07 Lieferantengerätepaket: 211-07, STYLE 1	Auf Lager7.776
MRF321 M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 33V 244-04 Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 33V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 13dB Leistung - max: 10W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.1A Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 244-04 Lieferantengerätepaket: 244-04, STYLE 1	Auf Lager8.946
MRF327 M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 33V 316-01 Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 33V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9dB Leistung - max: 80W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 9A Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 316-01 Lieferantengerätepaket: 316-01, STYLE 1	Auf Lager6.804
MRF392 M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2NPN EMITTR 30V 744A-01 Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Common Emitter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 125W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 744A-01 Lieferantengerätepaket: 744A-01, Style 1	Auf Lager3.978
MRF393 M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS 2NPN EMITTR 30V 744A-01 Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: 2 NPN (Dual) Common Emitter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.5dB Leistung - max: 100W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 744A-01 Lieferantengerätepaket: 744A-01, Style 1	Auf Lager6.714
MRF422 M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 35V 211-11 Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 35V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 13dB Leistung - max: 150W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 211-11, Style 2 Lieferantengerätepaket: 211-11, Style 2	Auf Lager258
MRF428 M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 211-11 Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 15dB Leistung - max: 150W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 211-11, Style 2 Lieferantengerätepaket: 211-11, Style 2	Auf Lager2.728
MRF4427 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 8SO Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 20dB Leistung - max: 1.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager8.316
MRF4427G Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 8SO Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 20dB Leistung - max: 1.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager5.040
MRF4427GR1 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 8SO Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 20dB Leistung - max: 1.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.812
MRF4427GR2 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 8SO Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 20dB Leistung - max: 1.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager5.454
MRF4427R1 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 8DBGA Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 20dB Leistung - max: 1.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-dBGA (2x1.5)	Auf Lager5.778
MRF4427R2 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 8SO Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 20dB Leistung - max: 1.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 400mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SO	Auf Lager7.344
MRF448 M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 50V 211-11 Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 50V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 14dB Leistung - max: 250W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 16A Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 211-11, Style 2 Lieferantengerätepaket: 211-11, Style 2	Auf Lager6.648
MRF454 M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 211-11 Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 12dB Leistung - max: 80W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20A Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 211-11, Style 2 Lieferantengerätepaket: 211-11, Style 2	Auf Lager5.022
MRF455 M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 211-07 Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 18V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 13dB Leistung - max: 60W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Betriebstemperatur: - Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 211-07 Lieferantengerätepaket: 211-07, STYLE 1	Auf Lager6.120
MRF517 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 4GHZ TO39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 4GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9dB ~ 10dB Leistung - max: 2.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 60mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: - Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager5.310

«
‹
1
...
131
132
133
134 (current)
135
136
137
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message