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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
MCH4021-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 8V Frequenz - Übergang: 16GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Gewinn: 17.5dB Leistung - max: 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-MCPH	Auf Lager4.320
MDS1100 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.03GHZ 55TU-1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.03GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.9dB Leistung - max: 8750W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 55TU-1 Lieferantengerätepaket: 55TU-1	Auf Lager8.622
MDS140L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 70V 1.09GHZ 55AW Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 70V Frequenz - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9.5dB Leistung - max: 500W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 12A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55AW Lieferantengerätepaket: 55AW	Auf Lager5.616
MDS150 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 60V 1.09GHZ 55AW Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 60V Frequenz - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 350W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55AW Lieferantengerätepaket: 55AW	Auf Lager2.106
MDS400 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55KT Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 6.5dB Leistung - max: 1450W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55KT Lieferantengerätepaket: 55KT	Auf Lager8.370
MDS500L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 70V 1.09GHZ 55ST Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 70V Frequenz - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9.2dB Leistung - max: 833W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 24A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55ST Lieferantengerätepaket: 55ST	Auf Lager2.484
MDS60L Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55AW Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 120W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55AW Lieferantengerätepaket: 55AW	Auf Lager4.986
MDS70 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55CX Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.03GHz ~ 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10.3dB ~ 11.65dB Leistung - max: 225W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55CX Lieferantengerätepaket: 55CX	Auf Lager7.272
MDS800 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ 55ST-1 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.6dB Leistung - max: 1458W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 60A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: 55ST-1 Lieferantengerätepaket: 55ST-1	Auf Lager7.596
MMBT5179 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 2GHZ SOT23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 2GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 5dB @ 200MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 25 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager670.524
MMBT5770 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 10mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager5.058
MMBT918 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Gewinn: 15dB Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager8.622
MMBT918LT1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Gewinn: 11dB Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager9.596
MMBT918LT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Gewinn: 11dB Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager55.188
MMBTH10 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager3.490
MMBTH10-4LT1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager8.082
MMBTH10-4LT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 800MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager83.514
MMBTH10-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager6.984
MMBTH10-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager27.750
MMBTH10LT1 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager40.398
MMBTH10LT1G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager314.496
MMBTH10LT3G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager74.460
MMBTH10M3T5G ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 265mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-723 Lieferantengerätepaket: SOT-723	Auf Lager7.074
MMBTH10RG ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 40V 450MHZ SOT23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Frequenz - Übergang: 450MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager3.420
MMBTH10-TP Micro Commercial Co	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23 Hersteller: Micro Commercial Co Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23	Auf Lager4.842
MMBTH11 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 650MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager50.814
MMBTH24 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 400MHZ SOT23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: 400MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager7.938
MMBTH24-7 Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 40V 400MHZ SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Frequenz - Übergang: 400MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager7.902
MMBTH24-7-F Diodes Incorporated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 40V 400MHZ SOT23-3 Hersteller: Diodes Incorporated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Frequenz - Übergang: 400MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3	Auf Lager53.214
MMBTH34 ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 40V 500MHZ SOT23-3 Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Frequenz - Übergang: 500MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 20mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 50mA Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket: SOT-23-3 (TO-236)	Auf Lager8.604

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