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MCH4021-TL-H

MCH4021-TL-H

Nur als Referenz

Teilenummer MCH4021-TL-H
PNEDA Teilenummer MCH4021-TL-H
Beschreibung RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 4.320
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MCH4021-TL-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMCH4021-TL-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MCH4021-TL-H, MCH4021-TL-H Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 187,95 KB)
PDFMCH4021-TL-H Datenblatt Cover
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MCH4021-TL-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)8V
Frequenz - Übergang16GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
Gewinn17.5dB
Leistung - max400mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 50mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)150mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall4-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket4-MCPH

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

14GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.6dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

BF199_D74Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

1.1GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

350mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

38 @ 7mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

Lieferantengerätepaket

TO-92-3

70060A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

2225-4L

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Frequenz - Übergang

2.2GHz ~ 2.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.5dB

Leistung - max

10W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 200mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

55LV

Lieferantengerätepaket

55LV

MT3S16U(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2.4dB @ 1GHz

Gewinn

4.5dBi

Leistung - max

100mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 5mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60mA

Betriebstemperatur

125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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