MDS400
Nur als Referenz
| Teilenummer | MDS400 |
| PNEDA Teilenummer | MDS400 |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 55V 1.09GHZ 55KT |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.370 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MDS400 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MDS400 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MDS400 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 55V |
| Frequenz - Übergang | 1.03GHz ~ 1.09GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 6.5dB |
| Leistung - max | 1450W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 10 @ 1A, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | 55KT |
| Lieferantengerätepaket | 55KT |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 55V Frequenz - Übergang 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 8.5dB ~ 10dB Leistung - max 125W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 10 @ 300mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2.5A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall 55CT Lieferantengerätepaket 55CT |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 9GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz Gewinn - Leistung - max 300mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 20mA, 6V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70mA Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-253-4, TO-253AA Lieferantengerätepaket SOT-143B |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 13V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 1.7dB @ 400MHz ~ 1.8GHz Gewinn - Leistung - max 120mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) 25mA Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 14dB ~ 26dB Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 9V Frequenz - Übergang 14GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 1.8GHz Gewinn 12.5dB Leistung - max 380mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 40mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-75, SOT-416 Lieferantengerätepaket PG-SC-75 |
