MMBT918LT1G
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| Teilenummer | MMBT918LT1G |
| PNEDA Teilenummer | MMBT918LT1G |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 55.188 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MMBT918LT1G Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MMBT918LT1G |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
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MMBT918LT1G Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 15V |
| Frequenz - Übergang | 600MHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 6dB @ 60MHz |
| Gewinn | 11dB |
| Leistung - max | 225mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 20 @ 3mA, 1V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 50mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
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Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz Gewinn 8dB ~ 17dB Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-86 Lieferantengerätepaket 86 Plastic |
Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 2dB @ 1GHz Gewinn 8.3dB Leistung - max 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.9dB ~ 1.4dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 19dB Leistung - max 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 15mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 65mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket PG-SOT363-6 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Gewinn 13.5dB ~ 20.5dB Leistung - max 580mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 30mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 80mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
