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Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
LPT16ED Skyworks Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 4V 16GHZ DIE Hersteller: Skyworks Solutions Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 4V Frequenz - Übergang: 16GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 5.2dB Leistung - max: 250mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 80mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: Die Lieferantengerätepaket: Die	Auf Lager5.418
LZ1418E100R,114 Ampleon	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 1.6GHZ CDFM2 Hersteller: Ampleon USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 1.6GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: 45W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 2A, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 4A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: SOT-443A Lieferantengerätepaket: CDFM2	Auf Lager6.678
MAPR-000912-500S00 M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 80V Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 80V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9.44dB ~ 9.77dB Leistung - max: 500W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 52.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.254
MAPR-002729-170M00 M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9.11dB ~ 9.69dB Leistung - max: 170W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 27A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.300
MAPR-002731-115M00 M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.06dB ~ 8.45dB Leistung - max: 115W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.246
MAPRST0912-350 M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9.4dB Leistung - max: 350W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 32.5A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.672
MAPRST0912-50 M/A-Com Technology Solutions	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V Hersteller: M/A-Com Technology Solutions Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10.16dB ~ 10.25dB Leistung - max: 50W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5.3A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.232
MAX2601ESA Maxim Integrated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz Gewinn: 11.6dB Leistung - max: 6.4W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-SOIC-EP	Auf Lager7.146
MAX2601ESA+ Maxim Integrated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz Gewinn: 11.6dB Leistung - max: 6.4W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-SOIC-EP	Auf Lager8.100
MAX2601ESA-T Maxim Integrated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz Gewinn: 11.6dB Leistung - max: 6.4W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-SOIC-EP	Auf Lager8.640
MAX2601ESA+T Maxim Integrated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz Gewinn: 11.6dB Leistung - max: 6.4W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-SOIC-EP	Auf Lager4.698
MAX2602ESA Maxim Integrated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz Gewinn: 11.6dB Leistung - max: 6.4W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-SOIC-EP	Auf Lager7.704
MAX2602ESA+ Maxim Integrated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz Gewinn: 11.6dB Leistung - max: 6.4W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-SOIC-EP	Auf Lager6.708
MAX2602ESA-T Maxim Integrated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz Gewinn: 11.6dB Leistung - max: 6.4W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-SOIC-EP	Auf Lager6.318
MAX2602ESA+T Maxim Integrated	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 15V 1GHZ 8SOIC Hersteller: Maxim Integrated Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 15V Frequenz - Übergang: 1GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 3.3dB @ 836MHz Gewinn: 11.6dB Leistung - max: 6.4W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 250mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Lieferantengerätepaket: 8-SOIC-EP	Auf Lager8.046
MBC13900NT1 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 6.5V 15GHZ SOT343 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6.5V Frequenz - Übergang: 15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz Gewinn: 15dB ~ 22dB Leistung - max: 188mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT-343	Auf Lager5.670
MBC13900T1 NXP	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 6.5V 15GHZ SOT343 Hersteller: NXP USA Inc. Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 6.5V Frequenz - Übergang: 15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 0.8dB ~ 1.1dB @ 900MHz ~ 1.9GHz Gewinn: 15dB ~ 22dB Leistung - max: 188mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 100 @ 5mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 20mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket: SOT-343	Auf Lager3.816
MC1331 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.832
MC1331-2 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.160
MC1331-3 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.610
MCH3007-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 8GHZ 3MCPH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 8GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Gewinn: 12dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 3-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 3-MCPH	Auf Lager5.220
MCH4009-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 3.5V 25GHZ 4MCPH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3.5V Frequenz - Übergang: 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.1dB @ 2GHz Gewinn: 13.5dB Leistung - max: 120mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 50 @ 5mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 40mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: 4-MCPH	Auf Lager83.562
MCH4013-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 3.5V 22.5GHZ 4MCPH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3.5V Frequenz - Übergang: 22.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.5dB @ 2GHz Gewinn: 16dB Leistung - max: 50mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 70 @ 5mA, 1V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: 4-MCPH	Auf Lager5.940
MCH4014-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Gewinn: 18dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: 4-MCPH	Auf Lager7.182
MCH4015-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Gewinn: 17dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: 4-MCPH	Auf Lager28.314
MCH4016-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Gewinn: 18dB Leistung - max: 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 30mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: 4-MCPH	Auf Lager7.866
MCH4017-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 12V Frequenz - Übergang: 10GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Gewinn: 17dB Leistung - max: 450mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 100mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: 4-MCPH	Auf Lager8.208
MCH4020-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 8V Frequenz - Übergang: 16GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Gewinn: 17.5dB Leistung - max: 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: 4-MCPH	Auf Lager4.284
MCH4020-TL-H ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 8V Frequenz - Übergang: 16GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Gewinn: 17.5dB @ 1GHz Leistung - max: 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: SOT-343F Lieferantengerätepaket: 4-MCPH	Auf Lager45.612
MCH4021-TL-E ON Semiconductor	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 8V 16GHZ 4MCPH Hersteller: ON Semiconductor Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 8V Frequenz - Übergang: 16GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): 1.2dB @ 1GHz Gewinn: 17.5dB Leistung - max: 400mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 60 @ 50mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 150mA Betriebstemperatur: 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket: 4-MCPH	Auf Lager8.280

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