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LZ1418E100R,114

LZ1418E100R,114

Nur als Referenz

Teilenummer LZ1418E100R,114
PNEDA Teilenummer LZ1418E100R-114
Beschreibung RF TRANS NPN 20V 1.6GHZ CDFM2
Hersteller Ampleon
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LZ1418E100R Ressourcen

Marke Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerLZ1418E100R,114
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
LZ1418E100R, LZ1418E100R Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 66,78 KB)
PDFLZ1418E100R Datenblatt Cover
LZ1418E100R Datenblatt Seite 2 LZ1418E100R Datenblatt Seite 3 LZ1418E100R Datenblatt Seite 4 LZ1418E100R Datenblatt Seite 5 LZ1418E100R Datenblatt Seite 6 LZ1418E100R Datenblatt Seite 7 LZ1418E100R Datenblatt Seite 8 LZ1418E100R Datenblatt Seite 9 LZ1418E100R Datenblatt Seite 10 LZ1418E100R Datenblatt Seite 11

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LZ1418E100R Technische Daten

HerstellerAmpleon USA Inc.
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Frequenz - Übergang1.6GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn-
Leistung - max45W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce15 @ 2A, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)4A
Betriebstemperatur200°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallSOT-443A
LieferantengerätepaketCDFM2

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5.5V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 1.4dB @ 900MHz

Gewinn

12.5dB ~ 14.5dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 5mA, 2.7V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

MMBTH10RG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Frequenz - Übergang

450MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

BFG 19S E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

5.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

2dB ~ 3dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

14dB ~ 8.5dB

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 70mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

210mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

PG-SOT223-4

MS2588

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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