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2SC4228-T1-A

2SC4228-T1-A

Nur als Referenz

Teilenummer 2SC4228-T1-A
PNEDA Teilenummer 2SC4228-T1-A
Beschreibung RF TRANS NPN 10V 8GHZ SOT323
Hersteller CEL
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Auf Lager 7.596
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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2SC4228-T1-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. Artikelnummer2SC4228-T1-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
2SC4228-T1-A, 2SC4228-T1-A Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 1.376,42 KB)
PDF2SC4228-A Datenblatt Cover
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2SC4228-T1-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)10V
Frequenz - Übergang8GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.9dB @ 2GHz
Gewinn7.5dB
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 5mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)35mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323

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Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

6.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB @ 1GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

1.2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

125 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-243AA

Lieferantengerätepaket

SOT-89

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

6V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.7dB ~ 2.5dB @ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

40V

Frequenz - Übergang

450MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 1mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

33V

Frequenz - Übergang

500MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

5.5dBi

Leistung - max

260W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 1mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

15A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M168

Lieferantengerätepaket

M168

MRF559

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

16V

Frequenz - Übergang

870MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.5dB

Leistung - max

2W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 50mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

-

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Surface Mount

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