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MCH4014-TL-H

MCH4014-TL-H

Nur als Referenz

Teilenummer MCH4014-TL-H
PNEDA Teilenummer MCH4014-TL-H
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 10GHZ 4MCPH
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 7.182
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MCH4014-TL-H Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMCH4014-TL-H
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
MCH4014-TL-H, MCH4014-TL-H Datenblatt (Total Pages: 11, Größe: 300,49 KB)
PDFMCH4014-TL-H Datenblatt Cover
MCH4014-TL-H Datenblatt Seite 2 MCH4014-TL-H Datenblatt Seite 3 MCH4014-TL-H Datenblatt Seite 4 MCH4014-TL-H Datenblatt Seite 5 MCH4014-TL-H Datenblatt Seite 6 MCH4014-TL-H Datenblatt Seite 7 MCH4014-TL-H Datenblatt Seite 8 MCH4014-TL-H Datenblatt Seite 9 MCH4014-TL-H Datenblatt Seite 10 MCH4014-TL-H Datenblatt Seite 11

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MCH4014-TL-H Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang10GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
Gewinn18dB
Leistung - max350mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce60 @ 5mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-343F
Lieferantengerätepaket4-MCPH

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

1.025GHz ~ 1.15GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.4dB

Leistung - max

292W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

5 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M105

Lieferantengerätepaket

M105

UTV005

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

24V

Frequenz - Übergang

470MHz ~ 860MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

11dB

Leistung - max

8W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

750mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

55FT

Lieferantengerätepaket

55FT

60158

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

BFU580GX

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

11GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1.8GHz

Gewinn

10.5dB

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 30mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-261-4, TO-261AA

Lieferantengerätepaket

SOT-223

2N2857UB

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

4.5dB @ 450MHz

Gewinn

21dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 3mA, 1V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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