Transistoren

Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays (1.432)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt (1.584)
Transistoren - Bipolar (BJT) - RF (1.506)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Single (13.715)
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einfach, vorgespannt (3.282)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays (3.829)
Transistoren - FETs, MOSFETs - RF (3.043)
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single (29.970)
Transistoren - IGBTs - Arrays (18)
Transistoren - IGBTs - Module (2.367)
Transistoren - IGBTs - Single (3.305)
Transistoren - JFETs (664)
Transistoren - Programmierbare Unijunction (26)
Transistoren - Spezialzweck (162)

Datensätze 64.903

Seite 137/2164

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
MS1337 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 18V 175MHZ M113 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 18V Frequenz - Übergang: 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 70W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M113 Lieferantengerätepaket: M113	Auf Lager2.100
MS1402 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 512MHZ M122 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: 450MHz ~ 512MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 750mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M122 Lieferantengerätepaket: M122	Auf Lager7.200
MS1406 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 35V 175MHZ M135 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 35V Frequenz - Übergang: 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.2dB Leistung - max: 30W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 200mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis, Stud Mount Paket / Fall: M135 Lieferantengerätepaket: M135	Auf Lager8.262
MS1409 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 40V 175MHZ TO39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 40V Frequenz - Übergang: 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 7W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager2.376
MS1509 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 33V 500MHZ M168 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 33V Frequenz - Übergang: 500MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 5.5dBi Leistung - max: 260W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 1mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 15A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M168 Lieferantengerätepaket: M168	Auf Lager7.956
MS1512 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 860MHZ M122 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 860MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 19.4W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.2A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis, Stud Mount Paket / Fall: M122 Lieferantengerätepaket: M122	Auf Lager2.538
MS1579 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 25V 860MHZ M156 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 25V Frequenz - Übergang: 470MHz ~ 860MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.5dB Leistung - max: 65W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 500mA, 20V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 5.2A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M156 Lieferantengerätepaket: M156	Auf Lager6.030
MS1582 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 30V 860MHZ M173 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 30V Frequenz - Übergang: 470MHz ~ 860MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9dB Leistung - max: 135W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 8A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M173 Lieferantengerätepaket: M173	Auf Lager8.766
MS1612 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.176
MS1649 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 16V 470MHZ TO39 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 16V Frequenz - Übergang: 470MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9.5dB Leistung - max: 7.8W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Paket / Fall: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket: TO-39	Auf Lager6.462
MS1701 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.030
MS1801 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.670
MS2091H Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.204
MS2092H Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.650
MS2200 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 500MHZ M102 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 400MHz ~ 500MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9.7dB Leistung - max: 1167W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 43.2A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M102 Lieferantengerätepaket: M102	Auf Lager6.534
MS2200A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.726
MS2201 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 45V 1.15GHZ M220 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9dB Leistung - max: 10W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 0.95 @ 10mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M220 Lieferantengerätepaket: M220	Auf Lager6.966
MS2202 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 3.5V 1.15GHZ M115 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 3.5V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9dB Leistung - max: 10W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 250mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M115 Lieferantengerätepaket: M115	Auf Lager5.832
MS2203 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 1.09GHZ M220 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10.8dB ~ 12.3dB Leistung - max: 5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M220 Lieferantengerätepaket: M220	Auf Lager7.272
MS2204 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 1.09GHZ M115 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10.8dB Leistung - max: 600mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 300mA Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M115 Lieferantengerätepaket: M115	Auf Lager4.104
MS2205 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 45V 1.15GHZ M105 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 45V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9.5dB Leistung - max: 21.9W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M105 Lieferantengerätepaket: M105	Auf Lager7.182
MS2206 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 20V 1.15GHZ M115 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 20V Frequenz - Übergang: 1.025GHz ~ 1.15GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 10dB Leistung - max: 7.5W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M115 Lieferantengerätepaket: M115	Auf Lager3.708
MS2206A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.560
MS2207 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.09GHZ M216 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 1.09GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8dB Leistung - max: 880W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 24A Betriebstemperatur: 250°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M216 Lieferantengerätepaket: M216	Auf Lager141.639
MS2209 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 225MHZ M218 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 225MHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.4dB Leistung - max: 220W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 20 @ 2A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 7A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M218 Lieferantengerätepaket: M218	Auf Lager4.824
MS2210 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 65V 1.215GHZ M216 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 65V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7dB Leistung - max: 940W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 10 @ 5A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 24A Betriebstemperatur: 200°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M216 Lieferantengerätepaket: M216	Auf Lager7.524
MS2210A Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF POWER TRANSISTOR Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): - Frequenz - Übergang: - Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: - Leistung - max: - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: - Strom - Kollektor (Ic) (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.734
MS2211 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 48V 1.215GHZ M222 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 48V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 9.3dB Leistung - max: 25W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 900mA Betriebstemperatur: 250°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M222 Lieferantengerätepaket: M222	Auf Lager7.632
MS2212 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M222 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 8.1dB ~ 8.9dB Leistung - max: 50W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 500mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 1.8A Betriebstemperatur: 250°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M222 Lieferantengerätepaket: M222	Auf Lager6.732
MS2213 Microsemi	Transistoren - Bipolar (BJT) - RF RF TRANS NPN 55V 1.215GHZ M214 Hersteller: Microsemi Corporation Serie: - Transistortyp: NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.): 55V Frequenz - Übergang: 960MHz ~ 1.215GHz Rauschzahl (dB Typ @ f): - Gewinn: 7.8dB Leistung - max: 75W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce: 15 @ 1A, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.): 3.5A Betriebstemperatur: 250°C (TJ) Montagetyp: Chassis Mount Paket / Fall: M214 Lieferantengerätepaket: M214	Auf Lager5.292

«
‹
1
...
134
135
136
137 (current)
138
139
140
...
2164
›
»

Send Message

Certifications

Transistoren

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message