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MRF4427

MRF4427

Nur als Referenz

Teilenummer MRF4427
PNEDA Teilenummer MRF4427
Beschreibung RF TRANS NPN 20V 8SO
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 8.316
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MRF4427 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF4427
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MRF4427 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)20V
Frequenz - Übergang-
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn20dB
Leistung - max1.5W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce10 @ 10mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)400mA
Betriebstemperatur-
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

4.7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.8dB @ 1GHz

Gewinn

8dB

Leistung - max

1.3W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 50mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

4.5V

Frequenz - Übergang

37GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz

Gewinn

10.5dB ~ 21.5dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

110 @ 80mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

35V

Frequenz - Übergang

150MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

10dB

Leistung - max

13W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 200mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Renesas Electronics America Inc.

Hersteller

Renesas Electronics America Inc.

Serie

-

Transistortyp

5 NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 10mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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