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MRF555GT

MRF555GT

Nur als Referenz

Teilenummer MRF555GT
PNEDA Teilenummer MRF555GT
Beschreibung RF TRANS NPN 16V 470MHZ
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 6.372
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 26 - Dez 1 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MRF555GT Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMRF555GT
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MRF555GT Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)16V
Frequenz - Übergang470MHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn12.5dB
Leistung - max3W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce50 @ 100mA, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)500mA
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

1.4GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.8dB ~ 5.5dB @ 200MHz

Gewinn

20dB ~ 23dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

90 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-23-3 (TO-236)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

800MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3dB @ 100MHz

Gewinn

-

Leistung - max

280mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 20mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23-3

BFS 481 E6327

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.2dB @ 900MHz ~ 1.8GHz

Gewinn

20dB

Leistung - max

175mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 5mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-VSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

PG-SOT363-6

SD1224

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

35V

Frequenz - Übergang

175MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

7.6dB

Leistung - max

60W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 500mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

5A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M135

Lieferantengerätepaket

M135

BFU580QX

NXP

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

10.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.3dB @ 1.8GHz

Gewinn

8.5dB

Leistung - max

1W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 30mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60mA

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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