MRF5812MR2
Nur als Referenz
| Teilenummer | MRF5812MR2 |
| PNEDA Teilenummer | MRF5812MR2 |
| Beschreibung | TRANS NPN 15V 200MA |
| Hersteller | Microsemi |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.100 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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MRF5812MR2 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MRF5812MR2 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MRF5812MR2 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | - |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | - |
| Frequenz - Übergang | - |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | - |
| Leistung - max | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang 7.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.3dB @ 900MHz Gewinn 9.7dB Leistung - max 700mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 50mA, 8V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-82A, SOT-343 Lieferantengerätepaket PG-SOT343-4 |
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.5dB ~ 2dB @ 500MHz ~ 1GHz Gewinn 8.3dB Leistung - max 2W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 50mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 250mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-243AA Lieferantengerätepaket SOT-89 |
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