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MS2267

MS2267

Nur als Referenz

Teilenummer MS2267
PNEDA Teilenummer MS2267
Beschreibung RF TRANS NPN 60V 1.215GHZ M214
Hersteller Microsemi
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Auf Lager 2.034
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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MS2267 Ressourcen

Marke Microsemi
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMS2267
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF

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MS2267 Technische Daten

HerstellerMicrosemi Corporation
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)60V
Frequenz - Übergang960MHz ~ 1.215GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)-
Gewinn8dB ~ 8.7dB
Leistung - max575W
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce10 @ 1A, 5V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Betriebstemperatur250°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallM214
LieferantengerätepaketM214

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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.5dB @ 1GHz

Gewinn

-

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9.2dB

Leistung - max

70W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

4A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

SD1013-20H

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

15V

Frequenz - Übergang

9GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 20mA, 6V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-253-4, TO-253AA

Lieferantengerätepaket

SOT-143B

CM4957

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

25V

Frequenz - Übergang

2.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

25dB

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 2mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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