MS2472
Nur als Referenz
| Teilenummer | MS2472 | ||||||||||||||||||
| PNEDA Teilenummer | MS2472 | ||||||||||||||||||
| Beschreibung | RF TRANS NPN 65V 1.15GHZ M112 | ||||||||||||||||||
| Hersteller | Microsemi | ||||||||||||||||||
| Stückpreis |
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| Auf Lager | 5.861 | ||||||||||||||||||
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR | ||||||||||||||||||
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MS2472 Ressourcen
| Marke | Microsemi |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MS2472 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
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MS2472 Technische Daten
| Hersteller | Microsemi Corporation |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 65V |
| Frequenz - Übergang | 1.025GHz ~ 1.15GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | - |
| Gewinn | 5.6dB |
| Leistung - max | 1350W |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 5 @ 250mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 40A |
| Betriebstemperatur | 200°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | M112 |
| Lieferantengerätepaket | M112 |
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Hersteller CEL Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3.3V Frequenz - Übergang 25GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 1.1dB @ 2GHz Gewinn 18dB Leistung - max 115mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 50 @ 5mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 35mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-343F Lieferantengerätepaket SOT-343F |
Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp PNP Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 20V Frequenz - Übergang 600MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn - Leistung - max 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 60 @ 5mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Lieferantengerätepaket SOT-23 |
Hersteller Broadcom Limited Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 12V Frequenz - Übergang - Rauschzahl (dB Typ @ f) 1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz Gewinn 9dB ~ 15.5dB Leistung - max 225mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SC-70-3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3.5V Frequenz - Übergang 45GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.95dB @ 1.8GHz Gewinn 22.5dB Leistung - max 100mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 20mA, 2V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 4-TSFP |
