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NE851M13-T3-A

NE851M13-T3-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE851M13-T3-A
PNEDA Teilenummer NE851M13-T3-A
Beschreibung RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ M13
Hersteller CEL
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Auf Lager 3.562
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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NE851M13-T3-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE851M13-T3-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE851M13-T3-A, NE851M13-T3-A Datenblatt (Total Pages: 21, Größe: 441,25 KB)
PDFNE851M13-T3-A Datenblatt Cover
NE851M13-T3-A Datenblatt Seite 2 NE851M13-T3-A Datenblatt Seite 3 NE851M13-T3-A Datenblatt Seite 4 NE851M13-T3-A Datenblatt Seite 5 NE851M13-T3-A Datenblatt Seite 6 NE851M13-T3-A Datenblatt Seite 7 NE851M13-T3-A Datenblatt Seite 8 NE851M13-T3-A Datenblatt Seite 9 NE851M13-T3-A Datenblatt Seite 10 NE851M13-T3-A Datenblatt Seite 11

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NE851M13-T3-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)5.5V
Frequenz - Übergang4.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Gewinn4dB ~ 5.5dB @ 2GHZ
Leistung - max140mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-3
LieferantengerätepaketM13

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Serie

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Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

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-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

20V

Frequenz - Übergang

600MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Lieferantengerätepaket

SOT-23

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CEL

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

4.5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 1GHz

Gewinn

9dB

Leistung - max

125mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-523

Lieferantengerätepaket

-

75109A

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

2SC5226A-5-TL-E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

135 @ 20mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

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