2SC5226A-5-TL-E
Nur als Referenz
| Teilenummer | 2SC5226A-5-TL-E |
| PNEDA Teilenummer | 2SC5226A-5-TL-E |
| Beschreibung | RF TRANS NPN 10V 7GHZ 3MCP |
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 4.716 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 24 - Mär 1 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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2SC5226A-5-TL-E Ressourcen
| Marke | ON Semiconductor |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | 2SC5226A-5-TL-E |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - RF |
| Datenblatt |
2SC5226A-5-TL-E, 2SC5226A-5-TL-E Datenblatt
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2SC5226A-5-TL-E Technische Daten
| Hersteller | ON Semiconductor |
| Serie | - |
| Transistortyp | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 10V |
| Frequenz - Übergang | 7GHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 1dB @ 1GHz |
| Gewinn | 12dB |
| Leistung - max | 150mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | 135 @ 20mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 70mA |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | 3-MCP |
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Hersteller ON Semiconductor Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 15V Frequenz - Übergang 1.5GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 14dB ~ 26dB Leistung - max 350mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 8mA, 10V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Lieferantengerätepaket TO-92-3 |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 4.5V Frequenz - Übergang 42GHz Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.8dB ~ 1.9dB @ 1.8GHz ~ 6GHz Gewinn 11dB ~ 21.5dB Leistung - max 500mW Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 110 @ 80mA, 3V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 150mA Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 4-SMD, Flat Leads Lieferantengerätepaket 4-TSFP |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - Transistortyp NPN Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 40V Frequenz - Übergang 175MHz Rauschzahl (dB Typ @ f) - Gewinn 10dB Leistung - max 7W Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 100mA, 5V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Betriebstemperatur 200°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Lieferantengerätepaket TO-39 |
