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NE85630-A

NE85630-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE85630-A
PNEDA Teilenummer NE85630-A
Beschreibung RF TRANS NPN 12V 4.5GHZ SOT323
Hersteller CEL
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Auf Lager 2.592
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NE85630-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE85630-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE85630-A, NE85630-A Datenblatt (Total Pages: 8, Größe: 1.962,59 KB)
PDF2SC4226-A Datenblatt Cover
2SC4226-A Datenblatt Seite 2 2SC4226-A Datenblatt Seite 3 2SC4226-A Datenblatt Seite 4 2SC4226-A Datenblatt Seite 5 2SC4226-A Datenblatt Seite 6 2SC4226-A Datenblatt Seite 7 2SC4226-A Datenblatt Seite 8

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NE85630-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)12V
Frequenz - Übergang4.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.2dB @ 1GHz
Gewinn9dB
Leistung - max150mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce40 @ 7mA, 3V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSC-70, SOT-323
LieferantengerätepaketSOT-323

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

5V

Frequenz - Übergang

25GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.2dB @ 2GHz

Gewinn

21.5dB

Leistung - max

150mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

60 @ 13mA, 2V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-82A, SOT-343

Lieferantengerätepaket

SOT-343

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

5GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2.1dB @ 1GHz ~ 2GHz

Gewinn

-

Leistung - max

300mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

40 @ 30mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323-3

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

-

Leistung - max

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

PH3135-65M

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

65V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

8.23dB ~ 9.09dB

Leistung - max

65W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7.7A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

8GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB ~ 3dB @ 1GHz ~ 4GHz

Gewinn

8dB ~ 17dB

Leistung - max

500mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 10mA, 8V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60mA

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

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