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NE851M03-A

NE851M03-A

Nur als Referenz

Teilenummer NE851M03-A
PNEDA Teilenummer NE851M03-A
Beschreibung RF TRANS NPN 5.5V 4.5GHZ SOT363
Hersteller CEL
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Auf Lager 2.052
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 24 - Dez 29 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

NE851M03-A Ressourcen

Marke CEL
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerNE851M03-A
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - RF
Datenblatt
NE851M03-A, NE851M03-A Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 745,82 KB)
PDFNE851M03-A Datenblatt Cover
NE851M03-A Datenblatt Seite 2 NE851M03-A Datenblatt Seite 3 NE851M03-A Datenblatt Seite 4 NE851M03-A Datenblatt Seite 5 NE851M03-A Datenblatt Seite 6 NE851M03-A Datenblatt Seite 7 NE851M03-A Datenblatt Seite 8 NE851M03-A Datenblatt Seite 9 NE851M03-A Datenblatt Seite 10

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NE851M03-A Technische Daten

HerstellerCEL
Serie-
TransistortypNPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)5.5V
Frequenz - Übergang4.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f)1.9dB ~ 2.5dB @ 2GHz
Gewinn-
Leistung - max200mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce100 @ 5mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-TSSOP, SC-88, SOT-363
LieferantengerätepaketSOT-363

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Broadcom

Hersteller

Broadcom Limited

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

12V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1dB ~ 1.9dB @ 900MHz ~ 2.4GHz

Gewinn

9dB ~ 15.5dB

Leistung - max

225mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70-3

Hersteller

CEL

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Frequenz - Übergang

7GHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

1.4dB @ 1GHz

Gewinn

12dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

70 @ 7mA, 3V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SOT-363

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

470MHz ~ 860MHz

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

135W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

10 @ 3A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Betriebstemperatur

200°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

M173

Lieferantengerätepaket

M173

2N4957

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

Transistortyp

PNP

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

3.5dB @ 450MHz

Gewinn

25dB

Leistung - max

200mW

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

30 @ 5mA, 10V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

30mA

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-72-3 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-72

MRF327

M/A-Com Technology Solutions

Hersteller

M/A-Com Technology Solutions

Serie

-

Transistortyp

NPN

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

33V

Frequenz - Übergang

-

Rauschzahl (dB Typ @ f)

-

Gewinn

9dB

Leistung - max

80W

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 4A, 5V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

9A

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

316-01, STYLE 1

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